Especificações básicas
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Tipo de célula solar |
132 células HJT semi-cortadas, n-tipo HJT |
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Dimensões do módulo |
2384 × 1303 × 33mm/35mm |
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Peso do módulo |
38,5 kg |
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Lado da frente |
Vidro solar revestido anti-reflexivo, 2. 0 mm de espessura |
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Traseiro |
Vidro solar, 2. 0 mm de espessura |
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Quadro |
Alumínio anodizado |
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Caixa de junção |
3 Diodos de desvio, IP68 avaliado para IEC 62790 |
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Mcable |
4 mm² de cabo PV, 0. 3 m de comprimento (os comprimentos podem ser personalizados), cumpra EN |
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50618 conector |
MC4 EVO2 Compatível |
Diagramas mecânicos

Observação: cor da estrutura personalizada e comprimento do cabo disponível mediante solicitação
Vantagens do produto
1. Tecnologia Bifacial HJT do tipo NA
Aproveitando as bolachas de 210 mm e o design de células de meio corte, este painel combina a tecnologia bifacial de HJT do tipo N para absorção de luz superior e eficiência de conversão de energia. A configuração de 18BB (barramento) com células de fatia fina reduz a resistência interna e melhora a coleta atual.
2. Poder e eficiência líder da indústria
Com uma potência máxima de 800W e eficiência do módulo de até 24,39%, ela fornece densidade de energia incomparável. O inovador processo de impressão em estêncil e fitas de cobre revestidas com prata otimizam o desempenho condutor, garantindo uma perda mínima de energia.
3,4,1% maior de saída do lado da frente do que o TopCon
Graças à sua arquitetura HJT e à mobilidade eletrônica aprimorada, este painel supera os módulos TopCon em 4,1% na geração de energia do lado da frente, tornando-o ideal para instalações com restrição de espaço.

4. Durabilidade e confiabilidade excepcionais
Projetado com materiais livres de boro para eliminar a degradação induzida por BO (B 0- tampa), oferece resistência robusta a Letid e PID. A baixa taxa de degradação anual (<0.3%) ensures long-term energy yield stability.
5,95% bifacialidade para a colheita máxima de energia
A alta bifacialidade permite que o painel gere até 95% de sua saída do lado da frente a partir da luz refletida no lado traseiro, aumentando significativamente a produção total de energia em sistemas de rastreamento e montados no solo.
Parâmetros elétricos no STC
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Modelo |
JAM132D -770 |
JAM132D -775 |
JAM132D -780 |
JAM132D -785 |
JAM132D -790 |
JAM132D -795 |
JAM132D -800 |
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Tolerância ao poder (0 ~ +5 w) |
Stc |
Stc |
Stc |
Stc |
Stc |
Stc |
Stc |
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PMAX |
770W |
775W |
780W |
785W |
790W |
795W |
800W |
|
VMP |
44.10V |
44.25V |
44.40V |
44.55V |
44.71V |
44.87V |
45.02V |
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Imp |
17.47A |
17.52A |
17.57A |
17.62A |
17.67A |
17.72A |
17.77A |
|
Voc |
51.72V |
51.82V |
51.92V |
52.02V |
52.12V |
52.22V |
52.32V |
|
ISC |
18.09A |
18.12A |
18.16A |
18.21A |
18.27A |
18.33A |
18.40A |
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Eficiência do painel |
24.13% |
24.19% |
24.23% |
24.27% |
24.31% |
24.35% |
24.39% |
STC (Condições de teste padrão): irradiância 1000 W/㎡, temperatura da célula 25 graus, massa de ar 1,5.

Parâmetros elétricos no BSTC
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Modelo |
JAM132D -770 |
JAM132D -775 |
JAM132D -780 |
JAM132D -785 |
JAM132D -790 |
JAM132D -795 |
JAM132D -800 |
|
Tolerância ao poder (0 ~ +5 w) |
BSTC |
BSTC |
BSTC |
BSTC |
BSTC |
BSTC |
BSTC |
|
PMAX |
810W |
815W |
820W |
825W |
830W |
835W |
840W |
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VMP |
42.59V |
42.74V |
42.89V |
43.04V |
43.19V |
43.34V |
43.49V |
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Diabrete |
18.31A |
18.67A |
18.71A |
18.74A |
18.77A |
18.81A |
18.85A |
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Você |
50.84V |
51.41V |
51.46V |
51.51V |
51.55V |
51.59V |
51.64V |
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ISC |
19.27A |
19.86A |
19.89A |
19.92A |
19.96A |
19.99A |
20.04A |
BSTC (Condições de teste padrão bifacial): irradiação lateral dianteira 1000 W/㎡, Reflexão lateral traseira Irradiação 135 com ㎡, massa de ar 1,5, temperatura ambiente 25 graus.
Processo de fabricação de painel solar de 800W
1. Preparação de wafer de silício
Seleção de material: usa as bolachas de silício monocristalinas de 210 mm do tipo N (baixo teor de boro-oxigênio) para eliminar a degradação induzida por BO (B 0- tampa).
Textura da superfície: gravura para criar uma superfície micro-rouquada para maior absorção de luz.
2. HJT Célula Fabricação
Deposição de camadas não Si:
Camadas A-Si: Deposição de silício amorfo hidrogenado (A-Si: H) em ambos os lados da wafer via deposição de vapor químico aprimorado por plasma (PECVD). Isso forma a estrutura de heterojunção para uma separação eficiente de carga.
Camas de TCO: Camadas transparentes de óxido condutor (TCO) (por exemplo, ITO ou ZnO) aplicadas pela pulverização para reduzir a recombinação da superfície e melhorar a condutividade.
Metalização:
Impressão da tela: Impressão de estêncil de pasta de cobre revestida com prata para eletrodos do lado da frente (barramentos de 18BB) para minimizar a resistência e melhorar a coleta atual.
Contatos do lado de trás: ablação a laser e revestimento de metal para contatos traseiros.
3. Processamento de células de meio corte
Corte a laser: As bolachas são divididas em meia células para reduzir a resistência interna e melhorar a tolerância ao sombreamento.
Interconexão: finas finas de cobre revestidas de prata conectam meia células em série/paralelo, usando solda ou adesivo condutor.

4. Montagem do módulo
Laminação:
Camadas empilhando: as células são imprensadas entre o vidro frontal, o encapsulante de EVA e a folha de trás (ou vidro duplo para bifacialidade).
Laminação a vácuo: prensagem de alta temperatura (140-150 graus) liga camadas, garantindo a vedação hermética.
Caixa de quadros e junção: As caixas de alumínio e caixas de junção com diodos de desvio são adicionadas para suporte mecânico e conexões elétricas.
Testes e controle de qualidade
Teste elétrico: medições da curva IV para verificar a produção de energia (até 800W), eficiência (24,39%) e bifacialidade (95%).
Testes de confiabilidade:
Ciclismo térmico: envelhecimento acelerado para simular extremos de temperatura.
Teste de congelamento de umidade: exposição a altas condições de umidade e congelamento.
Resistência a UV: exposição à luz UV para avaliar a degradação.
Validação anti-PID/LetID: Teste sob alta tensão e tensão térmica para confirmar a resistência à degradação induzida por potencial e degradação induzida pela luz.
5. Vantagens de chaves incorporadas no processo
Processo de baixa temperatura: HJT's<200°C manufacturing avoids thermal stress on silicon, reducing defects.
Fitas de cobre revestidas de prata: solução econômica e de alta condutividade para eletrodos.
Design de vidro duplo: aprimora a durabilidade e a captura de luz bifacial.
Esse processo integrado garante que o módulo ofereça alto rendimento de energia, confiabilidade a longo prazo e desempenho superior em comparação com as tecnologias TopCon ou Perc.
Solução de logística de transporte solar do módulo solar Jingsun 800W
Jingsun criou um sistema de logística inteligente global para atender às necessidades de transporte de módulos solares de 800W, combinando tecnologia avançada de tecnologia de embalagens e gerenciamento da cadeia de suprimentos para garantir que os produtos sejam entregues aos clientes com segurança, eficiência e sustentável.

1. Rede de transporte global e transporte multimodal
Planeje dinamicamente a rota ideal com base no algoritmo de IA para reduzir o número de transferências e riscos de transporte.
2. Embalagem inteligente e proteção de segurança
Adote a caixa de favo de mel reciclável + revestimento de espuma EPE, com tiras de reforço de borda, passe o teste de transporte internacional ISTA 3E para garantir que os módulos estejam intactos durante a queda e a vibração.
3. Serviço personalizado
Forneça transporte de contêineres com temperatura controlada para altitudes e áreas extremamente frias/quentes.
Forneça suporte de orientação e instalação de descarga no local do projeto da usina fotovoltaica.
Pagamento flexível: suporte a CIF, FOB, EXW e outros termos comerciais para atender às necessidades de diferentes clientes.
Perguntas frequentes
P: Quais são os principais parâmetros de desempenho do painel solar de 800W de Jingsun?
P: Como a tecnologia HJT de Jingsun se compara à TopCon?
P: Qual é a taxa de confiabilidade e degradação de longo prazo do painel?
P: O painel de 800W é adequado para instalações residenciais na cobertura?
P: Que suporte de garantia e pós-venda O Jingsun fornece?
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